技術(shù)編號(hào):12598959
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體處理,并且在特殊實(shí)施例中,涉及具有掩埋隔離層的襯底及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件被使用在各種電子和其他應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件包括集成電路或分立器件等,其通過(guò)在半導(dǎo)體晶片之上沉積一個(gè)或多個(gè)類型的材料薄膜并且圖案化材料薄膜而在半導(dǎo)體晶片上形成以形成集成電路。半導(dǎo)體器件在通常是塊材半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片上制造。塊材半導(dǎo)體晶片使用直拉、區(qū)熔或其他工藝形成。絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底是得到普及的另一類型襯底。由于改進(jìn)的器件區(qū)域隔離的可能性,這些襯底越來(lái)越受到喜愛(ài)并且導(dǎo)致具有減少的泄漏...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。