技術(shù)編號：12598951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種消除靜電荷的方法及基片卸載方法。背景技術(shù)等離子體刻蝕設(shè)備、物理氣相沉積設(shè)備和化學(xué)氣相沉積設(shè)備等的半導(dǎo)體加工設(shè)備，較多采用靜電卡盤來支撐和固定基片、以及對基片進行溫度控制。圖1為典型的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖1，在該反應(yīng)腔室1頂部的介質(zhì)窗10上方設(shè)置有電感耦合線圈11，上激勵射頻電源12通過上匹配器13與電感耦合線圈11電連接，構(gòu)成上電極，用于將腔室內(nèi)工藝氣體激發(fā)形成等離子體；在反應(yīng)腔室1內(nèi)設(shè)置有基座14，基座14上放置有由于承載基片S的靜電卡盤15，靜電卡...
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