技術(shù)編號：12598896
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及一種間隔件結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)間隔件為形成在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效晶體管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)裝置的柵極電極旁邊的介電體。除了保護柵極電極，間隔件也經(jīng)配置以允許源極/漏極區(qū)及/或輕摻雜漏極(lightlydopeddrain，LDD)的形成。在MOSFET裝置中，漏電流必須減少以節(jié)省功率消耗。MOSFET裝置中漏電組件的一者為柵極誘導(dǎo)的漏極漏電(gate-induceddrainlea...
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