技術(shù)編號：12596805
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于故障注入的芯片安全測試方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著空間技術(shù)和核技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體電離輻射效應(yīng)(也稱單粒子效應(yīng))被進(jìn)一步分類研究，如單粒子閂鎖(Singleeventlatch-up，簡稱為SEL)、單粒子翻轉(zhuǎn)(Singleeventupset，簡稱為SEU)、單粒子功能中斷(Singleeventfunctionalinterrupt，簡稱為SEFI)和單粒子燒毀(Singleeventburnout，簡稱為SEB)等。根據(jù)單粒子效應(yīng)對電子元器件造成的影響...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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