技術(shù)編號(hào)：12594141
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，且特別涉及一種對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及對(duì)準(zhǔn)方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體IC集成電路制造過(guò)程中，一個(gè)完整的芯片通常需要經(jīng)過(guò)多次光刻曝光才能制作完成。每一次曝光之前均需要進(jìn)行硅片面進(jìn)行調(diào)平，并與投影曝光鏡頭焦面之間進(jìn)行調(diào)焦，除了第一次光刻外，其余層次的光刻在曝光前都要將該層次的圖形與以前層次曝光留下的圖形進(jìn)行精確定位，這樣才能保證每一層圖形之間有正確的相對(duì)位置和曝光效果。通常情況下，套刻精度為光刻機(jī)分辨率指標(biāo)的1/3～1/5，對(duì)于100納米的光刻機(jī)而言，套刻精度指標(biāo)要求小于35nm。套刻精...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。