技術(shù)編號(hào)：12578817
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種頂針托架，該頂針托架配裝在工藝腔中的基座處，用于所加工晶元在基座上的取放。背景技術(shù)PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理氣相沉積，是當(dāng)前國際上廣泛應(yīng)用的先進(jìn)的表面處理技術(shù)。其工作原理就是在真空條件下，利用氣體放電使氣體部分離化，離化后的氣體離子轟擊靶材，將濺射的靶材離子或其反應(yīng)物沉積在晶元(Wafer)上。晶元作為濺射的對象，在工藝過程中需要逐片地傳入、傳出真空腔室。此外，為了保證濺射離子的純潔度，工藝之前經(jīng)常需要使用遮蔽盤(ShutterDisk)取代晶元...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。