技術(shù)編號(hào)：12566049
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種具有雙門極的雙波狀基區(qū)GCT器件。背景技術(shù)現(xiàn)有GCT，單個(gè)元胞的導(dǎo)通電流大，關(guān)斷速度慢；反之，關(guān)斷速度快，導(dǎo)通電流小；作為兩項(xiàng)主要性能指標(biāo)的導(dǎo)通電流與關(guān)斷速度的優(yōu)化空間受到較大限制，不利于充分發(fā)揮此類器件的優(yōu)勢(shì)。大量GCT元胞并聯(lián)，陰極發(fā)射極按同心環(huán)排列，內(nèi)外環(huán)串聯(lián)電阻的不同，導(dǎo)致元胞開關(guān)不均勻，容易引起電流集中，可靠性下降，芯片利用率低。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中不足，提供具有雙門極的雙波狀基區(qū)GCT器件。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。