技術(shù)編號：12552659
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金屬埋層凸起的去除方法以及空氣隙的制備方法。背景技術(shù)隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展和進(jìn)步，半導(dǎo)體制程關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，芯片上互連線的截面積和線間距離持續(xù)下降。增加的互連線電阻R和寄生電容C使互聯(lián)線的時(shí)間常數(shù)RC大幅度提高。于是互聯(lián)線的時(shí)間常數(shù)RC在集成電路延遲總所占的比例越來越大，成為限制互連速度的主要原因。在0.13um制程以上，半導(dǎo)體通常采用鋁作為后道連線的金屬材料。而進(jìn)入到90nm及其以下制程時(shí)，隨著互連線層數(shù)和長度的迅速增加以及互連寬度的減小，A...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。