技術(shù)編號(hào)：12552656
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬圖案的制備方法。背景技術(shù)FinFET鰭式場(chǎng)效晶體管技術(shù)是集成電路行業(yè)的下一代前沿技術(shù),是一種全新的新型的多門三維晶體管，其有源層也被稱為鰭層。在傳統(tǒng)平面晶體管工藝中，有源層、柵層和金屬層之間通過接觸層(Contactlayer，CT)連接，而在FINFET工藝中，鰭層、柵層和金屬層一之間的連接層不再是接觸層(Contact)，而是至少兩層或以上的中間層，其中包括金屬層零(Metal0)和通孔層零(Via0)，用以連接鰭層、柵層和金...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。