技術(shù)編號(hào)：12552101
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于大功率器件的鋁化物基板的金屬化方法和該方法制成的鋁化物基板。背景技術(shù)隨著功率器件的快速發(fā)展，器件的發(fā)熱量也隨之快速增加。氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能以及絕緣性能，同時(shí)還具有低介電常數(shù)與芯片材料熱膨脹系數(shù)接近等特點(diǎn)，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。在對(duì)電子器件進(jìn)行封裝時(shí)，需要首先在氮化鋁陶瓷上制備一層金屬，而后將芯片與氮化鋁陶瓷實(shí)現(xiàn)接觸，因此氮化鋁陶瓷金屬化過(guò)程是整個(gè)封裝過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)金屬化一般都是在直接敷銅法的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。