技術(shù)編號：12541947
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及用于形成具有自對準(zhǔn)源極/漏極的FinFET方法。背景技術(shù)在場效應(yīng)晶體管(FinFET)的形成中，首先形成半導(dǎo)體鰭，之后在半導(dǎo)體鰭的一部分上形成柵極堆疊件。去除鰭的在柵極堆疊件的相對側(cè)上的暴露端部以形成凹槽。然后通過外延在凹槽中再生長源極區(qū)和漏極區(qū)。源極區(qū)和漏極區(qū)的輪廓對場效應(yīng)晶體管(FinFET)的性能影響極大，這種輪廓包括例如底切的程度，即凹槽延伸至柵極堆疊件下方的量。為維持可控的性能，期望能夠精確控制底切的量級。而且，期望對于位于同一芯片上的相同類型的...
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