技術(shù)編號：12497190
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種雪崩焦平面圖像傳感器，尤其涉及一種帶高壓保護的雪崩焦平面圖像傳感器。背景技術(shù)由一定規(guī)模的雪崩光電二極管構(gòu)成的雪崩焦平面探測器陣列，能夠在高電壓條件下利用碰撞離化效應(yīng)使光電流發(fā)生倍增，從而實現(xiàn)對微弱光信號的放大，由此構(gòu)成的雪崩焦平面圖像傳感器將能實現(xiàn)對微弱光的探測成像；基于現(xiàn)有技術(shù)可知，雪崩焦平面圖像傳感器通常由雪崩焦平面探測器陣列和CMOS讀出電路構(gòu)成，為了實現(xiàn)雪崩放大功能，雪崩焦平面探測器陣列上需要加載幾十伏甚至一百多伏的高壓偏置電壓，這遠超出了普通CMOS工藝的耐壓能力，在使用...
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