技術(shù)編號(hào)：12489588
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有改進(jìn)偏置電路的射頻開關(guān)電路【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及射頻電路領(lǐng)域，特別涉及具有改進(jìn)偏置電路的射頻開關(guān)電路。【背景技術(shù)】現(xiàn)有的絕緣體上硅工藝(SOICMOS)的射頻開關(guān)的偏置電路的典型設(shè)計(jì)如下：在所述射頻開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，所述射頻開關(guān)的柵極(Gate)電位偏置在2.5V，源極(Source)和漏極(Drain)電位偏置在0V，導(dǎo)通溝道下方的體端(Body)電位偏置在0V；在所述射頻開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，所述射頻開關(guān)的柵極(Gate)電位偏置在-2.5V，源極(Source)和漏極(Drain)電位...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。