技術(shù)編號(hào)：12485634
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)目前，使用二維半導(dǎo)體層能夠降低功率損耗，這是因?yàn)榕c厚半導(dǎo)體層相比，半導(dǎo)體層的二維結(jié)構(gòu)能夠提高柵電極的靜電控制并且降低短溝道效應(yīng)。最小的可允許的溝道長(zhǎng)度正比于材料厚度的平方根因此通過(guò)使用較薄的材料，可以制造帶有較短溝道的晶體管。就0.65nm厚的單層MoS2而言，帶有1.5nm長(zhǎng)的溝道的晶體管仍然具有晶體管功能。但是對(duì)于較少層二維半導(dǎo)體層的FET，接觸電阻成為一個(gè)挑戰(zhàn)，其歐姆接觸的電阻較高，影響了FET的器件性能。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。