技術(shù)編號：12483394
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及基于偏壓濺射法的成膜方法和成膜裝置。背景技術(shù)關(guān)于作為利用了等離子體反應(yīng)的成膜法的一種的濺射成膜法中的一種，已知下述這樣的方法：除了對載置靶材的陰極電極賦予電位之外，還對載置基板的基板電極賦予電位，從而一邊對基板電極上所載置的基板施加偏壓一邊形成薄膜(偏壓濺射法)(專利文獻(xiàn)1和2)。該偏壓濺射法的原理大致如下。如果在將稀有氣體等環(huán)境氣體導(dǎo)入到系統(tǒng)內(nèi)的基礎(chǔ)上對載置靶材的陰極電極供給電力以賦予電位從而使導(dǎo)入氣體在陰極電極與基板電極之間的空間內(nèi)放電，則在因該放電而產(chǎn)生的等離子體內(nèi)所生成的全部離...
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