技術(shù)編號：12483328
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法。背景技術(shù)GaN基半導(dǎo)體激光器，通常采用InGaN/GaN量子阱作為有源區(qū)。由于In-N鍵能弱，分解溫度低，但是Ga-N鍵能強(qiáng)，分解溫度高，導(dǎo)致最優(yōu)的InGaN量子阱的生長溫度與最佳的GaN量子壘的生長溫度有較大的差別。因此我們通常采用雙溫生長的方法生長InGaN/GaN量子阱有源區(qū)，即InGaN量子阱層采用較低溫度生長(一般低于750℃)，GaN壘層采用較高溫度生長(一般高于900℃)。但是在由較低的量子阱生...
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