技術編號：12479349
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體存儲器技術領域，具體涉及一種非易失性阻變存儲器件及其制備方法。背景技術目前，閃存芯片存儲技術以高存儲密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢占據(jù)了非揮發(fā)性存儲芯片的壟斷地位，但隨著半導體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲技術遇到了技術瓶頸。阻變存儲器(RRAM)以其材料和結構簡單、單元面積小、制備成本低、與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容、可縮微能力強，同時又有讀寫速度快、操作功耗低等優(yōu)點，越來越受到業(yè)界的重視，成為下一代非揮發(fā)性存儲器的有力競爭者。當然，RRAM離大規(guī)模實用化還存在一定的差距，針對產(chǎn)品應用...
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