技術(shù)編號(hào):12479057
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米光電器件應(yīng)用領(lǐng)域,具體涉及一種沉積CsPbBr3納米片薄膜光電探測(cè)器的制備方法。背景技術(shù)由于無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbBr3具有高的熒光量子產(chǎn)率,窄帶發(fā)射峰,豐富的形貌調(diào)節(jié)手段和高的空氣穩(wěn)定性,從2015年開始研究人員開始大量報(bào)道其在發(fā)光二極管和光電探測(cè)器方面的應(yīng)用(Adv.Mater.2015,27,7162–7167;Nanoscale,2016,8,13589–13596;Adv.Funct.Mater.2016,26,5903–5912;J.Phys.Chem.Lett.20...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。