技術(shù)編號：12478883
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電光器件。背景技術(shù)氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點，是研制半導(dǎo)體器件的新型半導(dǎo)體材料，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。例如氮化鎵基晶體管。形成氮化鎵基的半導(dǎo)體器件，必須先選擇一種襯底來形成氮化鎵層。目前有的采用硅(Si)襯底，有的采用...
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