技術(shù)編號(hào):12478828
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種常溫常壓下快速制備光電器件電極的方法。背景技術(shù)在制備光電器件(如光電探測(cè)器,LED等)的過(guò)程中,電極制備是必不可少的一步。目前制備的方法主要有光刻,蒸鍍,濺射等。其中,光刻法是在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法,多應(yīng)用于半導(dǎo)體器件與集成電路的制作。光刻法制備電極分為底模處理、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)模、刻蝕、去膠,實(shí)驗(yàn)步驟復(fù)雜、對(duì)實(shí)驗(yàn)人員技術(shù)要求高,同時(shí)效率低、制作費(fèi)用高。真空蒸鍍法可廣泛用于薄膜電極的制備,蒸鍍法最突出的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單、操作容易、制成的薄膜純度...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。