技術(shù)編號：12478472
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種STT-MRAM存儲單元技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及STT-MRAM(SpinTransferTorque-MagneticRandomAccessMemory，自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器)存儲器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁隧道結(jié)(MagneticTunnelJunction，MTJ)結(jié)構(gòu)和STT-MRAM器件的制備方法。背景技術(shù)磁隨機存儲器(MRAM)是一種可取代傳統(tǒng)存儲器的先進存儲技術(shù)。具有良好的非揮發(fā)性，即斷電后數(shù)據(jù)不丟失，良好的熱穩(wěn)定性，存儲信息可保存超過十年，以及良好的讀寫穩(wěn)定性，讀寫次數(shù)可達(dá)1...
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