技術(shù)編號(hào)：12478359
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及穿透硅通孔技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高密度SOI封裝基板及其制備方法。背景技術(shù)穿透硅通孔技術(shù)，英文縮寫為TSV（throughsiliconvias）,一般簡稱硅通孔技術(shù),是通過微納加工等方法垂直完全貫穿硅晶片的技術(shù)，它是三維集成電路中堆疊芯片實(shí)現(xiàn)互連的一種新的技術(shù)解決方案。相對(duì)于傳統(tǒng)的焊線和倒裝芯片來說，TSV互連具有尺寸小、密度高，適用于創(chuàng)建3D封裝和3D集成等特點(diǎn)，可以有效減小傳輸延時(shí)、降低噪聲、縮小物理封裝尺寸、增強(qiáng)電學(xué)性能、降低功耗等，成為了目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。