技術(shù)編號(hào)：12478208
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，具體涉及一種不易變形的碳化硅基芯片背面工藝。背景技術(shù)以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，被廣泛應(yīng)用于光電子器件、高功率器件和電力電子器件等領(lǐng)域，以其優(yōu)異的半導(dǎo)體性能在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域都將發(fā)揮重要革新作用，應(yīng)用前景和市場(chǎng)潛力巨大。GaN和SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，不但擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好，還具有載流子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn)，可以用來制造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件，應(yīng)用于Si器件難以勝任的場(chǎng)合。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。