技術(shù)編號(hào)：12478057
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及基于Al2O3納米顆粒的薄膜封裝方法及其應(yīng)用，尤其涉及基于Al2O3納米顆粒的薄膜封裝方法、發(fā)光二極管的制備方法、以及按照發(fā)光二極管的制備方法制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管。背景技術(shù)基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(QLED)器件具有色彩飽和、純度高、單色性佳、顏色可調(diào)以及可以用簡單的溶液制備方法獲得并可大規(guī)模制備等優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)前最受矚目的發(fā)光器件之一，在固體照明和顯示器，尤其是柔性顯示器上，展現(xiàn)出了美好的應(yīng)用前景。QLED器件所用的金屬陰極一般是Al、Mg、Ag等活潑金屬，非常容易與...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。