技術(shù)編號：12476147
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提升閃存存儲器數(shù)據(jù)保持力的方法。背景技術(shù)NOR型閃存存儲器單元是浮柵(floatinggate，簡稱FG)結(jié)構(gòu)的MOS型晶體管，工作原理是通過對FG注入或者釋放電荷改變存儲單元的閾值電壓來達到存儲或釋放數(shù)據(jù)的目的。擦除(floatinggate)的過程是在控制柵(controlgate)與阱(Well)上施加反向電壓，通過隧道效應(yīng)將電荷拉出FG，編程(Program)“0”則是通過控制柵與位線(BiteLine，BL)上施加電壓通過溝道(CHE)效應(yīng)將電...
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