技術(shù)編號(hào)：12476128
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種將數(shù)據(jù)自內(nèi)存寫(xiě)回(writeback)儲(chǔ)存裝置的方法及數(shù)據(jù)存取系統(tǒng)。背景技術(shù)相變化內(nèi)存(Phase-ChangeMemory，PCM)因具有高速存取以及關(guān)閉電源后仍保留數(shù)據(jù)的特性，故已廣泛地被使用在各種非揮發(fā)性(Non-Volatile)儲(chǔ)存裝置當(dāng)中。實(shí)務(wù)上，在對(duì)相變化內(nèi)存進(jìn)行寫(xiě)入/編程操作時(shí)，可通過(guò)加熱電極的方式來(lái)改變存儲(chǔ)單元中相變化材質(zhì)的結(jié)晶狀態(tài)，以使其呈現(xiàn)對(duì)應(yīng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的電阻值。舉例來(lái)說(shuō)，相變化內(nèi)存的多階存儲(chǔ)單元(Multi-LevelCell，MLC)可被編程至四種可能的電阻...
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