技術(shù)編號：12464920
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于高度集成的光學(xué)讀出MEMS傳感器的系統(tǒng)和方法相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2015年4月29日提交的名稱為“HIGHLYINTEGRATEDOPTICALREADOUTMEMSSENSORS(高度集成的光學(xué)讀出MEMS傳感器)”的美國臨時申請No.62/154,197的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，并且以其全文通過引用并入本文。背景技術(shù)MEMS傳感器的電容性讀出容易受到多種誤差機制的影響，該多種誤差機制諸如是傳感器機械模式的電饋通、電阻尼、玻璃充電、金屬電容性板的工作功能改變等等。此外，傳感器的比例因子(S...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。