技術(shù)編號(hào)：12458224
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于透明半導(dǎo)體薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種取向ITO薄膜的制備方法。背景技術(shù)銦錫氧化物薄膜(ITO)具有良好的光電性能，常作為各種電器件的背電極使用，目前商用ITO薄膜多由磁控濺射法進(jìn)行制備。由于近年功能建筑玻璃的應(yīng)用研究興起，且要求尺寸普遍較大，所以像磁控濺射這種使用真空系統(tǒng)進(jìn)行原子級(jí)別沉積的方式在大尺寸均勻薄膜制備方面出現(xiàn)了局限性。噴霧熱解技術(shù)可以通過增加噴槍個(gè)數(shù)制備大面積、厚度均勻的薄膜。但該技術(shù)制備的ITO薄膜光電性能不高，難以達(dá)到商用ITO薄膜的性能要求。眾多學(xué)者采用多種辦法改...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。