技術(shù)編號：12440001
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種研磨表面形成有膜的晶圓的研磨裝置，特別涉及通過分析在來自晶圓的反射光中包含的光學(xué)信息，能夠檢測晶圓的膜厚的研磨裝置。背景技術(shù)半導(dǎo)體組件的制造步驟中包含：研磨二氧化硅(SiO2)等絕緣膜的工序；以及研磨銅、鎢等金屬膜的工序等各種工序。在背面照射型CMOS傳感器及硅貫通電極(TSV)的制造工序，除了絕緣膜以及金屬膜的研磨工序之外，還包含研磨硅層(硅晶圓)的工序。晶圓的研磨在構(gòu)成其表面的膜(絕緣膜、金屬膜、硅層等)的厚度達(dá)到指定的目標(biāo)值時結(jié)束。晶圓的研磨使用研磨裝置而進(jìn)行。圖13為表示研...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。