技術(shù)編號：12415774
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及氧化物電介質(zhì)的制備方法，尤其涉及一種氧化物介質(zhì)的原子層沉積方法，屬于半導體集成技術(shù)領域。背景技術(shù)半導體技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎，是衡量一個國家科學技術(shù)進步和綜合國力的重要標志。在過去的40多年中，硅基集成技術(shù)遵循摩爾定律通過縮小器件的特征尺寸來提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本，硅基CMOS器件的特征尺寸已經(jīng)由微米尺度縮小到納米尺度。然而當MOS器件的柵長縮小到90納米以下，傳統(tǒng)硅基CMOS集成技術(shù)開始面臨來自物理與技術(shù)方面的雙重挑戰(zhàn)。二氧化硅已經(jīng)不能滿足當前半導體器件對電...
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