技術編號:12394042
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種全新的藍寶石晶體生長熱場的設計及應用,屬于LED晶體生長領域。背景技術藍寶石晶體生長方法有熔焰法、區(qū)熔法、坩堝移動法、提拉法、導模法、溫度梯度法、熱交換法和泡生法等,其中,泡生法市場占有率達80%以上。但是,上述方法都存在各自的缺點和局限性,較難滿足未來藍寶石晶體的大尺寸、高質量、低成本發(fā)展需求。熔焰法和區(qū)熔法生長的晶體質量和尺寸都受到限制,難以滿足光學器件的高性能要求;熱交換法、溫度梯度法和泡生法等方法生長的藍寶石晶體尺寸大,可以生長質量較高的單晶。但熱交換法需要氦氣作冷卻劑...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。