技術(shù)編號：12380909
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。具有方位角與徑向分布控制的多區(qū)域氣體注入組件本申請是申請日為2014年2月3日、申請?zhí)枮?01480003019.X、題為“具有方位角與徑向分布控制的多區(qū)域氣體注入組件”的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本揭示案是關(guān)于等離子體反應(yīng)器中的處理氣體分布，所述等離子體反應(yīng)器用于處理工件，例如半導(dǎo)體晶圓。背景技術(shù)等離子體反應(yīng)器的腔室中的處理氣體分布的控制會影響在等離子體處理期間工件上的沉積速率分布或蝕刻速率分布的處理控制。氣體注入噴嘴可位于腔室的周邊與中心處。所期望的是控制在腔室中心處與周邊處兩者的氣體注入。一個問題...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。