技術編號：12370026
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的制造方法，具體涉及一種高壓芯片鈍化層的制造方法。背景技術裸露的芯片易受外界環(huán)境的影響，導致芯片電學性能漂移，失效或可靠性降低。為隔絕外界環(huán)境的影響，通常在芯片加工或后續(xù)的封裝工藝中，在芯片表面形成鈍化層，對芯片形成保護，提高芯片的可靠性。本發(fā)明主要討論芯片加工中，芯片表面形成的鈍化層。鈍化層材料包括二氧化硅，半絕緣多晶硅，氮化硅，聚酰亞胺，光敏亞胺，氧化鋁等。高壓芯片(≥600V)工作在高溫高電壓下，對外界環(huán)境的影響更加敏感，對鈍化層提出更高的要求：1.絕緣性能好，臨界...
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