技術(shù)編號：12369769
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)中的氮化鎵基器件領(lǐng)域，具體涉及一種基于自停止刻蝕的氮化鎵基器件隔離的制備方法。背景技術(shù)以AlGaN/GaN為材料基礎(chǔ)的器件統(tǒng)稱為氮化鎵基器件，例如AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)管(heterostructurefieldeffecttransistors,HFET)，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(heterostructurebipolartransistor,HBT)等。氮化鎵基器件具有擊穿場強(qiáng)大、電子遷移率高、飽和速度大等優(yōu)點，被認(rèn)為是下一代功率開關(guān)器件的有力競爭者，近年來備受研究者...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。