技術(shù)編號(hào)：12369756
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種對晶圓進(jìn)行刻蝕的方法。背景技術(shù)當(dāng)今，針對晶圓上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的刻蝕，大致有濕法刻蝕工藝和氣相刻蝕工藝兩種方式可選。然而，隨著集成電路中的組件的尺寸越做越小，氣相刻蝕工藝的優(yōu)勢也日益凸顯，愈發(fā)的受到關(guān)注和應(yīng)用。傳統(tǒng)的氣相刻蝕工藝，通常僅需要一個(gè)刻蝕工藝腔。晶圓被放入刻蝕工藝腔后，由進(jìn)氣裝置向腔內(nèi)通入刻蝕氣體，通過控制刻蝕工藝腔內(nèi)的工藝條件，能夠使刻蝕氣體與晶圓表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)生反應(yīng)，刻蝕去除其中的阻擋層或掩膜層。但是，晶圓上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)涉及多種膜層，例如可以...
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