技術(shù)編號(hào)：12369748
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種蝕刻方法，特別是涉及一種降低微負(fù)載效應(yīng)的蝕刻的方法。背景技術(shù)集成電路是經(jīng)由許多制作工藝步驟，例如，沉積、氧化、蝕刻等而形成，在眾多種不同的半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域之中，蝕刻制作工藝在定義圖案的規(guī)格尺寸上具有重要的角色，其主要用于定義各材料區(qū)的長(zhǎng)度、寬度、及深度或高度等尺寸，一般而言，一個(gè)理想的蝕刻制作工藝必需能將光掩模上所定義的圖案準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移至其下方的材料層上，并終止于所預(yù)定的蝕刻深度，且其尺寸或深度不會(huì)因晶片或芯片上位置的不同而變化，而能在整個(gè)晶片或芯片上保持一致而均勻的標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻制作...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。