技術編號：12369746
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及等離子體刻蝕裝置與方法，尤其硅通孔（TSV，即Through-SiliconVia）的等離子體刻蝕裝置與方法。背景技術典型的硅通孔制作工藝通常包括多個步驟：（a）在硅基片的硅材料層上形成光刻膠圖案；（b）以光刻膠圖案為掩模，等離子體刻蝕硅材料層，以在硅材料層內初步形成硅通孔；（c）去除殘余的光刻膠圖案；（d）在無掩模保護的狀態(tài)下，全局等離子體刻蝕硅材料層，以減薄硅通孔使其達到預定的高度。上述的每一步驟都需要在特定的處理裝置中執(zhí)行。比如，步驟（a）通常在一光刻設備中執(zhí)行；步驟（b）通常在...
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