技術(shù)編號(hào)：12369634
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種下電極以及半導(dǎo)體加工設(shè)備。背景技術(shù)目前，等離子體加工設(shè)備已被廣泛地應(yīng)用在集成電路、LED芯片或MEMS器件的制造工藝中，以對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕、沉積或?yàn)R射等工藝。在進(jìn)行上述工藝的過程中，通常在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有下電極，其主要具有以下兩個(gè)作用：其一，安裝和固定用于承載晶片的基座；其二，形成供用于將基座的射頻等接口與反應(yīng)腔室外部的射頻電源電連接的線纜通過的通道。圖1為現(xiàn)有的下電極的剖視圖。如圖1所示，下電極由側(cè)壁1和底壁2組成封閉的腔體10。該下電極設(shè)置在反應(yīng)腔...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。