技術(shù)編號：12357667
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及材料的輻射致氣體滲透測量技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光輻射薄膜、金屬和非金屬薄片致氣體滲透的測試裝置和方法。背景技術(shù)極紫外光刻(EUVL)技術(shù)是10nm及以下光刻節(jié)點(diǎn)最有前景的光刻技術(shù)之一。由于空氣及絕大多數(shù)材料對13.5nm的EUV光具有強(qiáng)烈的吸收，因此EUV光束需置于真空中。在這種真空環(huán)境下，一些氣體可導(dǎo)致反射鏡的嚴(yán)重失效，如水蒸汽(H2O)導(dǎo)致其發(fā)生氧化，碳?xì)浠衔?CxHy)導(dǎo)致其表面沉積碳層，因此需控制真空中污染性氣體的含量。EUV光刻機(jī)內(nèi)部具有大量的光電器件，必須采用密封殼體封裝...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。