技術編號：12357374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路分析領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種制備透射電子顯微鏡樣品的方法。背景技術透射電子顯微鏡在包括集成電路分析在內(nèi)的各個領域都有著極為廣泛且越來越重要的應用，而雙束聚焦離子束(FIB)制樣則是半導體領域最為主要的透射電子顯微鏡樣品制備手段。由于透射電子顯微鏡樣品的尺寸很小，只有微米級別，為了更好地控制透射電子顯微鏡樣品厚度，一般要求在聚焦離子束制樣開始前，芯片樣品的表面距離其下的分析結構約0.1～0.5微米。但是，很多芯片樣品由于工藝步驟的不同，目標上方經(jīng)常已經(jīng)有很厚的多層材質，而...
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