技術(shù)編號：12353302
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種花狀二硫化鉬/氧化銅復(fù)合納米材料的制備方法，屬于納米復(fù)合材料制備領(lǐng)域。背景技術(shù)二硫化鉬是一種典型的過渡金屬硫化物，體相呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)，為間接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為1.29電子伏特；其二維單層結(jié)構(gòu)為直接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約為1.8電子伏特；二硫化鉬的應(yīng)用非常廣泛，主要應(yīng)用于光電催化，可充電電池的電極材料，傳感器等領(lǐng)域，并且由于其獨特的層狀結(jié)構(gòu)，在工業(yè)上也常被用作潤滑劑。氧化銅是一種半導(dǎo)體金屬氧化物，其禁帶寬度約為1.7電子伏特，光譜吸收主要集中在可見光范圍，因此可應(yīng)用于光電器件，光...
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