技術(shù)編號(hào)：12307686
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)以代替平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。FinFET的結(jié)構(gòu)性特征是從襯底的表面垂直延伸的硅基膜，并且包裹環(huán)繞由鰭形成的導(dǎo)電溝道的柵極進(jìn)一步提供了對(duì)溝道的更好的電控制。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的方法，包括：通過(guò)從半導(dǎo)體襯底的(110)晶格面的法向向量?jī)A斜8.05±2度來(lái)確定<551>...
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