技術(shù)編號(hào):12288960
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于動(dòng)態(tài)控制離子束能量及角度的設(shè)備及方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉參照本申請(qǐng)主張2014年5月9日申請(qǐng)的美國(guó)申請(qǐng)第14/274,018號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)利,所述申請(qǐng)的內(nèi)容是以全文引用方式并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)施例涉及使用離子束的襯底刻蝕,且更確切地說(shuō)涉及刻蝕多層襯底以產(chǎn)生經(jīng)圖案化結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)如今許多裝置的制造常常需要刻蝕多個(gè)層來(lái)定義裝置特征。舉例來(lái)說(shuō),從包含不同層中的多個(gè)不同材料的層堆疊制造例如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magneticrandomaccessmeory;MRAM)或其它高級(jí)存儲(chǔ)器裝置等一些存儲(chǔ)器...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。