技術(shù)編號：12288943
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。發(fā)光器件的成形方法相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2014年5月14日提交的美國臨時申請?zhí)?1/996,662的優(yōu)先權(quán)，出于所有目的，該臨時申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤├话闵婕鞍l(fā)光器件以及形成發(fā)光器件的方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管(LED)，例如，GaN(氮化稼)基LED被視為用于下一代固態(tài)照明的光源選擇，并且在過去幾十年來，該領(lǐng)域的研究和發(fā)展已經(jīng)取得巨大的進(jìn)展。高亮度GaNLED已經(jīng)應(yīng)用于各種用途，例如LCD的背光、交通標(biāo)志、以及全彩顯示器。目前，GaNLED開始進(jìn)入普通照明市場。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。