技術編號：12288921
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在具有可以改進光提取的特征的襯底上生長的發(fā)光器件。背景技術包括發(fā)光二極管（LED）、諧振腔發(fā)光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發(fā)射激光器的半導體發(fā)光器件是當前可獲得的最高效的光源之一。在能夠跨可見光譜操作的高亮度發(fā)光器件的制造中當前感興趣的材料系統(tǒng)包括III-V族半導體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其還被稱為III氮化物材料。典型地，III氮化物發(fā)光器件通過借由金屬-有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技術而在藍寶石、...
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