技術(shù)編號：12275224
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種雪崩光電探測器，尤其涉及一種近紅外響應的硅基雪崩光電探測器及其制作方法。背景技術(shù)近紅外（900nm~1100nm）響應硅基雪崩光電探測器，具有靈敏度高、增益大、暗電流小、成本低等優(yōu)點，在激光測距、微光探測、精確制導、光學準直等領(lǐng)域都有廣泛應用。響應率、雪崩擊穿的電壓溫度系數(shù)和響應時間三者是衡量近紅外響應硅基雪崩光電探測器性能的重要參數(shù)，高性能的近紅外響應硅基雪崩光電探測器需要同時具備高的響應率、低的雪崩擊穿電壓溫度系數(shù)和小的響應時間；基于現(xiàn)有理論可知，影響前述參數(shù)的最主要因素是器件...
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