技術(shù)編號(hào)：12275193
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種晶硅光伏組件，特別是涉及一種晶硅電池抗PID輕質(zhì)組件及電池板。背景技術(shù)晶體硅分為單晶硅、多晶硅、和非晶硅。其中，單晶硅太陽能電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。上述晶體硅可用于制作晶體硅光伏組件，研究表明，存在于晶體硅光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高電壓，會(huì)造成組件的光伏性能的持續(xù)衰減。造成此類衰減的機(jī)理是多方面的，例如在上述高電壓的作用下，組件電池的封裝材料和組件上表面層及下表面層的材料中出現(xiàn)的離子遷移現(xiàn)象；電池中出現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。