技術編號：12275107
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體材料與器件技術領域，特別涉及一種基于Si襯底的鉿基鋁酸鹽高K金屬柵結構及制備方法，可用于制造高介電性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管，和大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)與制備。背景技術隨著集成電路的集成度不斷減小，金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET的尺寸不斷減小，相應的柵氧化物厚度也不斷減小。截止到2005年，65nm的光刻技術已經(jīng)趨于成熟，在高性能的場效應晶體管器件中作為柵電介質(zhì)膜的SiO2層的厚度已減至1nm左右，即僅為幾個原子層的間距。隨著氧化物厚度的不斷減少，由電子隧穿引起的漏...
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