技術(shù)編號(hào):12269697
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于激光芯片制造中減小光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的方法。背景技術(shù)砷化鎵激光芯片的設(shè)計(jì),要求芯片的諧振腔面沿著晶圓<110>解理邊方向解理形成,故砷化鎵晶圓在進(jìn)行第一步光刻時(shí),需要將光刻圖形和表征其<110>解理邊方向的平邊進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。巴條型激光芯片,其發(fā)光面長(zhǎng)度為20000um,發(fā)光面的緩沖區(qū)僅為60um,要求解理邊的偏差要求為每20000um偏差控制在60um以內(nèi),換算成對(duì)準(zhǔn)偏轉(zhuǎn)為-0.17°~0.17°內(nèi)。砷化鎵晶圓在進(jìn)行第一步光刻時(shí),光刻圖形和晶圓的平邊的對(duì)準(zhǔn)偏轉(zhuǎn)可以...
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