技術(shù)編號：12252129
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于碳化硅單晶生長領(lǐng)域，具體涉及一種優(yōu)化碳化硅單晶生長的方法。背景技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅單晶具有禁帶寬度大，抗輻射能力強，擊穿電場高，介電常數(shù)小，熱導(dǎo)率大，電子飽和漂移速度高，化學穩(wěn)定性高等獨特的特性，可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場合，被認為是制造光電子器件、高頻大功率器件、電力電子器件理想的半導(dǎo)體材料。在白光照明、光存儲、屏幕顯示、航天航空、高溫輻射環(huán)境、石油勘探、自動化、雷達與通信、汽車電子化等方面有廣泛應(yīng)用，尤其在國防軍事上有著重要的戰(zhàn)略地...
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